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      NCP1252EDR2G Komponenten transistoren Thyristor Brandneue Original-Diode für integrierte Schaltkreise

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      Shenzhen Hesheng Technology Co., LimitedMehrfach spezialisierter Lieferant3 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      NCP1252EDR2G

      Art
      Standard

      Markenname
      Standard

      Paket-Art
      Standard

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Standard

      Beschreibung
      Standard

      Ursprungsort
      original

      Paket/Fall
      Standard

      Art
      Standard

      Betriebstemperatur
      Standard

      Serie
      Standard

      D/c
      Standard

      Anwendung
      Standard

      Kreuz Referenz
      Standard

      品名
      integrated circuit

      Strom-Collector (Ic) (Max)
      Standard

      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      Standard

      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Standard

      Strom-Collector Cutoff (Max)
      Standard

      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard

      Power-Max
      Standard

      Frequenz-Übergang
      Standard

      Betriebstemperatur
      standard

      Befestigungstyp
      Standard

      Widerstand-Basis (R1)
      Standard

      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      Standard

      FET Typ
      Standard

      FET Feature
      Standard

      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Standard

      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Standard

      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      Standard

      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard

      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard

      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard

      Frequenz
      Standard

      Nennstrom (Ampere)
      Standard

      Rauschzahl
      Standard

      Power-Ausgang
      Standard

      Spannung-Bewertet
      Standard

      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Standard

      Vgs (Max)
      Standard

      IGBT Typ
      Standard

      Konfiguration
      Standard

      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Standard

      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Standard

      Eingang
      Standard

      Ntc
      Standard

      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Standard

      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard

      Strom Drain (Id)-Max
      Standard

      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Standard

      Widerstand-RDS (Auf)
      Standard

      Spannung
      Standard

      Spannung-Ausgang
      Standard

      Spannung-Offset (Vt)
      Standard

      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Standard

      Strom-Tal (Iv)
      Standard

      Strom-Spitzen
      Standard

      Anwendungen
      Standard

      Transistor Typ
      Standard

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      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel

      Einzelpackungsgröße:
      20X14X5 cm

      Einzelbruttogewicht:
      0.500 kg

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